Поиск в словарях
Искать во всех

Физический энциклопедический словарь - аморфные полупроводники

 

Аморфные полупроводники

аморфные полупроводники
аморфные в-ва, обладающие св-вами полупроводников. Различают ковалентные А. п. (Ge и Si, GaAs и др. в аморфном состоянии), халькогенидные стёкла (напр., As31 Ge30 Se21 Te18), оксидные стёкла (напр., V2O5—P2O5) и диэлектрич. плёнки (SiOx, Аl2O3, Si3N4 и др.). А. п. можно рассматривать как сильно легированный компенсированный полупроводник, у к-рого «дно» зоны проводимости и «потолок» валентной зоны флуктуируют, причём эти флуктуации порядка ширины запрещённой зоны ξд. Эл-ны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне разбиваются на «капли», расположенные в ямах потенц. рельефа, разделённых высокими барьерами. Электропроводность при низких темп-pax носит прыжковый хар-р (см. Прыжковая проводимость). При более высоких темп-pax электропроводность А. п. обусловлена тепловым забросом эл-нов в область делокализов. состояний (см. Неупорядоченные системы). А. п. обладают рядом уникальных св-в, к-рые открывают возможность для их разл. практич. применений. Халькогенидные стёкла благодаря прозрачности в ИК области спектра, высокому сопротивлению и фоточувствительности применяются для изготовления электрофотогр. пластин передающих телевиз. трубок и записи голограмм (см. Голография). У А. п. ярко выражен эффект электрич. переключения из высокоомного состояния в низкоомное и обратно, позволяющий создавать элементы со временем срабатывания 10-10—10-12 с.

• Полтавцев Ю. Г., Структура полупроводников в некристаллических состояниях, «УФН», 1976, т. 120, в. 4; Адлер Д., Приборы на аморфных полупроводниках, там же, 1978, т. 125, в. 4; Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски, пер. с англ., М., 1982. В. В. Сандомирский.

Рейтинг статьи:
Комментарии:

Вопрос-ответ:

Похожие слова

Ссылка для сайта или блога:
Ссылка для форума (bb-код):